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型号 工作电压(V) 工作电流(mA) 触发场强(mT) 释放场强(mT) 磁场回差(mT) 温度范围(℃) 封装 工艺 备注2
ES253 2.5 ~ 5.5 0.5 < +- 5 > +- 0.5 1 -40 ~ 150 UA CMOS
ES2482 2.5~5.5 0.005 <±6 >±0.5 1.2 -40~85 SOT23TO-92DFN CMOS 双输出，分别检测N、S极
ES2481 3~5.5 0.005 <±6 >±0.5 1 -40~85 SE CMOS 超低功耗，常态输出高低可选
ES248L 1.6~3.5 0.005 <±6 >±0.5 1.2 -40~85 UA, SO, SE CMOS 低工作电压
ES248 2.5~5.5 0.005 <±6 >±0.5 1.2 -40~85 UA, SO, SE, EW CMOS CMOS 微功耗，70mS检测周期