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型号 工作电压(V) 工作电流(mA) 触发场强(mT) 释放场强(mT) 磁场回差(mT) 温度范围(℃) 封装 工艺 备注2
ES827 4.5 ~ 24 1 ~ 6 3.5 -40 ~ 150 TO-94 CMOS
ES817 4.5 ~ 24 1 ~ 6 3.5 -49 ~ 150 TO-92 CMOS
ES40 4.5~24 5 0.5~7 -7~ -0.5 7 -40~125 UA Bipolar 耐60V高压冲击
ES177 3.5~20 5 0.5~7 -7~-0.5 7 -25~85 UA Bipolar 22